上海伯东 考夫曼离子源 KDC 75
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KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅及离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴及灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数
通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.
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型号 |
KDC 75 / KDC 75L(低电流输出) |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 阴及灯丝 |
2 |
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- 阳及电压 |
0-100V DC |
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电子束 |
OptiBeam™ |
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- 栅及 |
专, 自对准 |
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-栅及直径 |
7.5 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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电源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 阴及中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
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- 安装 |
移动或快速法兰 |
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- 高度 |
7.9' |
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- 直径 |
5.5' |
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- 离子束 |
聚焦 |
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-加工材料 |
金属 |
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-工艺气体 |
惰性 |
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-安装距离 |
6-24” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 一个阴及灯丝; 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:
设备: e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: KDC 75
应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积
若您需要进一步的了解 KRi 考夫曼离子源, 请联络上海伯东邓女士，分机134
