表面处理微弧氧化电源-微弧氧化电源-日照微弧氧化电源

温度对微弧氧化的影响

微弧氧化与阳*氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，成膜越快，微弧氧化电源监控，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源

微弧氧化，是在电解质溶液中（一般是弱碱性溶液）施加高电压（直流、交流或脉冲）在材料表面原位生长陶瓷氧化膜的过程，该过程是物理放电与电化学氧化、等离子体氧化协同作用的结果。微弧氧化技术是在普通阳*氧化技术的基础上发展起来的，进一步提高电压，使电压超出法拉第区，达到氧化膜的击穿电压，就会在阳*出现火花放电现象，表面处理微弧氧化电源，在材料表面形成陶瓷氧化膜，微弧氧化电源，使等离子体氧化膜既有陶瓷膜的，又保持了阳*氧化膜与基体的结合力。

微弧氧化效果的影响因素

1、溶液酸碱度：酸碱度过大或过小，微弧氧化电源类型，溶解速度都加快，氧化工业铝型材生长速度减慢，所以一般选择弱碱性溶液。

　 2、溶液浓度：溶液浓度对氧化工业铝型材的成工业铝型材速率、表面颜色和粗糙度都有影响。 溶液电导率：溶液电导率对微弧氧化工业铝型材的生长速度和致密度都有影响。溶液组分：不同溶液体系对微弧氧化工业铝型材的生长速度、表面粗糙度、硬度、电绝缘性等均有影响。微弧氧化技术、微弧氧化生产线、微弧氧化工艺