减少碎片的解决方案及措施
从以上分析可知,超高真空,晶片碎片与放电气体流量、溅射沉积功率、加热温度等工艺条件有关。因此在保证其他条件不变的情况下,分别作了以下三个实验加以验证:
(1)减小沉积功率从60%→30%,新疆真空,延长沉积时间;
(2)降低加热温度,300℃→常温;
(3)放电气体压力从15.0 millitorr以上→7.5-8.5 millitorr。
1、真空系统由机械泵、扩散泵、增扩泵、油增压泵、罗茨泵、埚轮分子泵等及与它们相匹配的各种气动、手动、电动阀门、管道等组成。
2、根据工艺要求选择不同规格及类型的镀膜设备,其类型有电阻蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、磁控反应溅射、离子镀、空心阴****离子镀、多弧离子镀等。
3、炉体可选择由不锈钢、碳钢或它们的组合制成的双层水冷结构。
4、夹具运转形式有自转、公转及公转 自转方式,用户可根据基片尺寸及形状提出相应要求,转动的速度范围及转动精度:普通可调及变频调速等。