原装现货供应-ASEMI-9N90原装现货供应

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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET

型号：24N50

封装：TO-247/3P

漏*电流（VDS）：24A

漏源电压（ID）：500V

工作温度：-55℃~150℃

种类：场效应晶体管

品牌：ASEMI

场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

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MOS管理论图与实物有什么区别？

MOS管结构示意图仅仅是原理性的，24N50原装现货供应，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二*管，从而区分了源*和漏*。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅*预先成为相对负电压，因此p型的管子，9N90原装现货供应，栅*不用加负电压了，接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。

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MOSFET（场效应管）的主要参数：

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0(增强型)的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

(1)漏*附近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源*间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，原装现货供应，穿通后，90N10原装现货供应，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

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