整流桥堆-迪一原材料自主研发-整流桥堆ABS210

整流桥选型注意事项

整流桥在选型的过程中需要注意以下几点：

1、 耐压：结合产品的设计需求，使用合适耐压的整流桥，这里的耐压指的是单个二*管的反向击穿电压，整流桥堆，例如输入交流电压上限为220VAC，则整流桥的耐压需要≥（220*1.414*1.25=389）VDC，同时需要考虑*限状态下耐压是否满足，例如雷击浪涌*扰度实验。

2、 电流上限：结合产品的功率，使用合适电流的整流桥，即单个二*管的大电流。例如一个输出功率为10W，在输入电压下限85VAC时效率70%，则整流桥的电流上限需要≥（（10/0.7）/（85*1.414））*2=0.24A。

3、 浪涌电流（冲击电流）：由于整流桥后端一般接的是电容进行充电，为此电容在充电的瞬间等效为短路状态，流经整流桥的瞬间电流非常大，可达到数十安培以上，可按照欧姆定律评估。为此整流桥在选型时，需要*考虑浪涌电流，同时也需要考虑*限状态下的浪涌电流。

同方迪一桥堆的规格命名

全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（*高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。

一般桥堆命名中有3个数字，整流桥堆HBS610，*一个数字代表额定电流，A;后两个数字代表额电压（数字*100），V

如：KBL407即4A，1000V

KBPC5010即50A，1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，整流桥堆ABS210，600V，800V，1000V）。

同方迪一DB207S整流桥的结构与参数选择的方法介绍

整流桥DB207S的结构

整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，DB207S也不例外。 两只的为半桥，整流桥堆HBS810，四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热性能。

整流桥DB207S参数选择

隔离式开关电源一般采用由整流管 构成的整流桥，亦可直接选用成品整流桥，完成桥式整流。全波桥式整流器简称硅整流桥，它是将四只硅整流管接成桥路形式，再用塑料封装而成的半导体器件。它具有体积小、使用方便、各整流管的参数一致性好等优点， 可广泛用于开关电源的整流电路。硅整流桥有4个引出端，其中交流输入端、直流输出端各两个。

硅整流桥的大整流电流平均值分0.5 ~ 40A等多种规格，高反向工作电压有50~ 1000V等多种规格。小功率硅整流桥可直接焊在印刷板上，大、中功率硅整流桥则要用螺钉固定，并且需安装合适的散热器。所以整流桥的参数选择很重要，选不好还有可能会造成炸机的危险哦。