强元芯电子有限公司-低压降快恢复二*管6级能效
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晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的*移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，低压降快恢复二*管，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
二*管的类型特点
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16、阻尼二*管
具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二*管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压*二*管
TVP管，对电路进行快速过压保护，分双*型和单*型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基*二*管（单结晶体管）
两个基*，一个发射*的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
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快恢复二*管检测方法是
（1）测量反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，低压降快恢复二*管原装品牌，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。
设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，低压降快恢复二*管6级能效，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
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