快恢复二*管厂家-强元芯电子-高压快恢复二*管厂家
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晶体二*管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的*移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二*管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
如何检测快恢复二*管的好坏
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快恢复二*管的好坏应该如何判断呢？
下面ASEMI工程师为您支个招！秒懂用万用表检测快恢复二*管的好坏的方法！
将万用表置于Rx1k挡，测快恢复二*管的正、反向电阻，正向电阻一般为几欧姆，反向电阻为∞，如果测得的阻值均为∞或为0，则表明被测管子损坏。 快恢复二*管的对管检测方法与上述方法基本相同，但必须首先确定其共用端是哪个引脚，然后再用上述方法对各个快恢复二*管进行检测。
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用来表示二*管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二*管的参数。不同类型的二*管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：
1、蕞大整流电流
是指二*管长期连续工作时允许通过的蕞大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，高压快恢复二*管厂家，二*管使用中不要超过二*管蕞大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二*管的额定正向工作电流为1A。
2、蕞高反向工作电压
加在二*管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了蕞高反向工作电压值。例如，IN4001二*管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流
反向电流是指二*管在规定的温度和蕞高反向电压作用下，流过二*管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流*一倍。例如2AP1型锗二*管，在25℃时反向电流若为250uA，快恢复二*管厂家，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，LED快恢复二*管厂家，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二*管，低压降快恢复二*管厂家，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二*管比锗二*管在高温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二*管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
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