50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克?何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第壹种实际应用的可见光发光二*管。LED是英文light emitting diode(发光二*管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,led芯片批发,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的*震性能好。
蕞初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD介绍:
金属有机*学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Depoisition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度*格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子*设备,主要用于GaN(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二*管芯片的制造,也是光电子行业蕞有发展前途的*设备之一。
LED芯片的分类有哪些呢?
TS芯片定义和特点
定义:tran*rent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专i利产品。
特点:
(1)芯片工艺制作复杂,远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底,不吸收光,led芯片价格,亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义:Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,深圳led芯片,差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚,led芯片厂家,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。
特点:
(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。