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磁敏三****管
磁敏三****管由锗材料或硅材料制成。图是磁敏三****管的结构图。它是在高阻半导体材料i上制成N -i-N 结构,在发射区的一侧用喷砂等方法*一层晶格,形成载流子高复合区r。元件采用平板结构,发射区和集电区设置在它的上、下表面。
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几年前,晶体管的开关能力还小于10kW。目前,它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力,改进了功率晶体管的性能。如
(1)开关晶体管有效芯片面积的增加,
(2)技术上的简化,
(3)晶体管的复合——达林顿,
(4)用于大功率开关的基****驱动技术的进步。
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硅晶体管
仙童半导体由一个几人的公司成长为一个拥有12000个职工的大企业
集成电路
在1954年硅晶体管发明之后,晶体管的巨大应用前景已经越来越明显。科学家的下一个目标便是如何进一步把晶体管、导线及其它器件连接起来