供应可控硅综合测试仪
¥1000元/台
中国 陕西 西安 长安区
产品属性
- 品牌:
- 其他
- 加工定制:
- 是
- 型号:
- DBC-112
- 类型:
- 立式
- 用途:
- 测试产品
- 电机功率:
- 5KW
- 外形尺寸:
- 800*800*1800
- 重量:
- 200KG
产品简介
该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的测试设备。
该套测试设备主要有以下几个单元组成:
-
- 门触发参数测试单元
- 维持电流测试单元
- 阻断参数测试单元
- 通态压降参数测试单元
- 电压上升率参数测试单元
- 擎住电流
- 门电阻
- 计算机控制系统
- 合格证标签打印
- 夹具单元;包含平板夹具和模块夹具
二、技术条件
主要技术指标:
2.1 门触发电压/门触发电流测试单元IGT/VGT
- 阳电压:12V;
- 阳串联电阻:6Ω;
- 门触发电压:0.3~5.00V&plun;3%&plun;10mV;
- 门触发电流:2~450mA&plun;3%&plun;1 mA;
2.2 维持电流测试单元IH
1. 阳电压:12V;
- 预导通电流: >10A,正弦衰减波;
- 维持电流: 2~450mA &plun;5%&plun;1 mA;
- 测试频率:单次;
2.3 通态压降测试单元VTM
- 平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度&plun;1 0A&plun;5%;
- 模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度&plun;1 0A&plun;5%;
- 电流上升沿时间:≥5ms;
- 通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度&plun;0.1 V&plun;5%;
- 测试频率:单次;
2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
- 阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度&plun;0.1 kV&plun;3%;
模块单元阻断电压:0.20~4.00kV
2. 正反向自动测试:
3.正/反向漏电流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:&plun;5%&plun;1 mA;
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。
5. 测试频率: 50HZ
2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt
- 电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度&plun;5%;
2. 电压过冲范围:<50V&plun;10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度&plun;10%;
2.6 擎住电流IL:100-1800mA
2.7 平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式
三、功能概述
3-1测试功能范围
该套测试设备主要可测试以下参数:
- 门参数测试:VGT、IGT
- 维持电流测试:IH
- 阻断参数测试:本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二管的VRRM、IRRM等参数。
- 压降单元
本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。
- 电压上升率参数测试:dv/dt
- 擎住电流IL
- 门电阻:适合门触发电压在0.95V以上器件测试
3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。
(供应给安徽半导体器件研发)
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