西安易恩电气科技股份有限公司
*院所高校半导体器件生产厂商*分立器件测试仪
产品属性
- 产地:
- 陕西西安
- 功耗:
- 150W
- 品牌:
- 其他
- 类型:
- 半导体测试仪
- 型号:
- EN-nvffv
- 测量范围:
- 分立器件测试
- 测量精度:
- 0.02%
系统概述
西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以****电压、电流和测试品质范围。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
系统特征
测试范围广
升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A
应用领域
*院所、高校、半导体器件生产厂商、
电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修等
测试范围 / 测试参数
1、二****管DIODE
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IR |
0.10V-2kV |
1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2p*1 |
|
BVR |
0.10V-2kV |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
|
VF |
0.10V-5.00V -9.99V |
IF:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1mV |
VF:1%+10mV IF:1%+1nA |
2、绝缘栅双****大功率晶体管IGBT
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICES IGESF IGESR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2p*1 |
|
BVCES |
0.1V-900V -1.4KV -1.6KV |
100μA-200mA -100mA -50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
VGETH |
0.10V-20V(50V)2 |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
|
VCESAT ICON VGEON VF gFS(混合参数) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VGE:0.10V-9.99V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IF, IGE:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF IC:1%+1nA IGE:1%+5nA |
3、晶体管 TRANSISTOR
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
ICBO ICEO/R/S/V IEBO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2p*1 |
|
BVCEO BVCBO BVEBO |
0.10V-900V -1.4kV -1.6kV 0.10V-2KV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-200mA -100mA -50mA -50mA 1nA(20pA)1-3A |
1mV |
1%+10mV 1%+10mV |
|
hFE(1-10000) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V -49.9V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 -3A IB:1nA-10A |
0.01hFE |
VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IB: 1%+5nA |
|
VCESAT VBESAT VBE(VBEON) RE |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VBE:0.10V-9.99V |
IE:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IB:1nA-10A |
1mV |
V：1%＋10mV IE：1%＋1nA IB：1%＋5nA |
4、MOS场效应管 MOS-FET
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IDSS/VIGSSFIGSSR VGSFVGSR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2p*1 |
|
BVDSS |
0.10V-2kV |
1nA-50mA |
1mV |
1%+100mV |
|
VGSTH |
0.10V-49.9V |
ID:100uA-3A |
1mV |
1%+ 10mV |
|
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON(混合参数) gFS (混合参数) |
VD VF:0.10V-5.00V -9.99V VGS:0.10V-9.99V |
IFID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF.ID:1%+1nA IG：1%+5nA |
5、J型场效应管J-FET
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
|
IGSS IDOFF IDGO |
VGS:0.10V-20V(80V)2 VDS:0.10V-999V |
1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1
|
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2p*1 |
|
BVDGO BVGSS |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-50mA 1nA-3A |
1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
|
VDSON，VGSON IDSS，IDSON RDSON (混合参数) gFS (混合参数) |
0.10V-5.00V -9.99V |
ID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV ID:1%+1nA IG:1%+5nA |
|
VGSOFF |
0.10V-20V(80V)2 |
ID:1nA(20pA)2-3A VD:0.10V-50V |
1mV |
1%＋10mV |
6、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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IDRM、IRRM、 IGKO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2p*1 |
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VDRM、VRRM BVGKO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-50mA 1nA-3A |
1mV 1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
|
VTM |
0.10V-5.00V -9.99V |
10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1 mV |
VT:1%+10mV IT:1%+1nA |
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I GT VGT |
VD:5V-49.9V VGT:0.10V-20V(80V)2 VT:100mV-49.9V |
IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT |
1mV 1nA |
1%+10mV 1%+5nA |
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IL(间接参数) |
VD:5V-49.9V |
IL:100μA-3A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT |
N/A |
N/A |
|
IH |
VD:5V-49.9V |
IH:10uA-1.5A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT (IAK初值由RL设置) |
1uA |
1%+2uA |