普赛斯硅基/碳化硅特性曲线测试设备，集多种测量和分析功能一体，可以测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μ&OmegJ确测量、n安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容 、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法 灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅发射支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至p安级漏电流；集电发射支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率支持1MHz。

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
：支持u&Omeg导通电阻、n安级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

测试项目
集电发射电压Vces，集电发穿电压V(br)ces、集电发射饱和电压Vcesat
集电截止电流Ices、栅漏电流Iges
栅发射电压Vges、栅发射阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

硅基/碳化硅特性曲线测试设备认准普赛斯仪表，普赛斯仪表研究和开发半导体材料与器件测试的智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于数字源表的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化源表感兴趣，欢迎随时联系我们