IGBT简介：

IGBT(绝缘栅双性晶体管)是常见的功率器件，期间经常使用在强电流高电压的场景中，如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成，兼具了高输入阻及低导通压降的优点，IGBT是电力电子设备的“cpu”，被国家列为研究对象。

IGBT测试难点：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。

IGBT器件静态参数测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。详询一八一四零六六三四七六

IGBT器件静态参数测试系统简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，u&Omeg电阻，pA电流测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。

产品特点

• 高电压：支持高达3KV高电压测试；

• 大电流：支持高达4KA大电流测试；

• G精度：支持u&Omeg电阻、pA电流、uV级测量；

• 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；

• 配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

• 数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；

• 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；

• 可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；

• 可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

   

  技术指标

IGBT器件静态参数测试系统应用

    功率器件如二管、三管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；

那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢？

E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

E300高电压源测单元

HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出性切换等特点。

设备可应用于肖特基二管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以完成“电流-导通电压”扫描测试。

HCPL100型高电流脉冲电源

P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脉冲源表