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硅化石墨的制备

硅化石墨的生产方法主要有三种化学气相沉积法(CVD)，化学气相反应法(CVR)及液硅渗透反应法。

1.化学气相沉积(CVD))法

使含硅、碳的气体通过高温石墨基体发生热分解，生成SiC沉积在石墨基体表面。原料为(CH3SiC3)、氢、硅蒸气等。沉积温度范围较宽，从1175℃到1775℃。用此法生成的SiC层非常致密，厚薄均匀，一般厚度约为0.1～0.3mm。但SiC与石墨基体的结合为纯机械结合，结合力较弱，在温度急变时SiC层易发生龟裂、剥落。

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视频作者：东莞市海扬真空设备有限公司

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用于原子能工业和工业：石墨具有良好的中子减速剂用于原子反应堆中，铀一石墨反应堆是目前应用较多的一种原子反应堆。作为动力用的原子能反应堆中的减速材料应当具有高熔点，KVT3.100真空泵碳片，稳定，耐腐蚀的性能，石墨完全可以满足上述要求。作为原子反应堆用的石墨纯度要求很高，DVFT250真空泵碳片，杂质含量不应超过几十个PPM。特别是其中硼含量应少于0.5PPM。在工业中还用石墨制造固体燃料火箭的喷嘴，导DANG的鼻锥，宇宙航行设备的零件，隔热材料和防射线材料。

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化学气相反应法(CVR)

原料为焦炭粉和过量的石英砂或无定形硅粉，当加热到2000℃时发生化学反应，生成SiO蒸气。SiO蒸气和碳基体反应生成SiC。SiC层和碳基体二者无明显界面，DVFT200真空泵碳片，结合很牢固，在温度骤变及高负荷情况下不会脱落，但CVR法是SiO气体渗入碳基体内进行反应，河北真空泵碳片，因此，仍然保留了碳基体的多孔性，在用作密封材料时，需用树脂浸渍或CVD法进行孔隙的填充。