等离子体沉积薄膜
用等离子体聚合介质膜可保护电子元件,用等离子体沉积导电膜可保护电子电路及设备免遭静电荷积累而引起损坏,用等离子体沉积薄膜还可以制造电容器元件。在电子工业、化学工业、光学等方面有许多应用。①等离子体沉积硅化合物。用SiH4 N2O〔或Si(OC2H4) O2〕,制成SiOxHy。气压1~5托(1托≈133帕),定做碎玻璃清洗机,电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4 SiH3 N2。温度300℃,沉积率约180埃/分。非晶碳化硅膜由加含碳的共反应剂得SixC1 x:H,x是Si/Si C比例。硬度大于2500千克/毫米2。