KOAN 压控晶振相位噪声的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶体 Q 值来决定。高频晶体有很高的近载波相位噪声（Close-inPhase Noise）， 因为他们有低的 Q 值和更宽的边带；

B 中端相噪主要是晶体外围电路(包括 IC)来决定；

C 远端相噪主要是信号输出(白噪声)来决定。

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压控振荡器的应用范围介绍

压控振荡器被广泛应用在以下范围：

1、讯号产生器。

2、电子音乐中用来制造变调。

3、锁相回路。

4、通讯设备中的频率合成器。

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KOAN 压控振荡器的振荡条件

相位条件：ωL=1/ωcl（ω 晶体频率， L 晶体有效电感，CL 晶体负载电容），调整负载电容可以调整频率高低，实现频率*度高；振幅条件：│Rˉ│≥R（设计电路要考虑负性阻*值 Rˉ的相对值，在起动时要比晶体谐振电阻有效值 R 大3-20 倍，正常振荡时│Rˉ│=R）。

期望大家在选购压控振荡器时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多压控振荡器的相关资讯，欢迎拨打图片上的热线电话！！！