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接触光刻技术中使用的掩模的表面特征图案的尺寸与实际掩模的尺寸相同。i在衬底上形成的图案是1∶1，制版报价，并且以直接接近光致*蚀剂层表面的方式*i光线；另一方面，缩微技术中使用的掩模具有表面特征图案的实际尺寸。i在衬底上形成的图案的几次通过光学系统投影模式*i光明。

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数字图像处理中，图像掩模主要用于：①提取感兴趣区，用预先制作的感兴趣区掩模与待处理图像相乘，得到感兴趣区图像，感兴趣区内图像值保持不变，而区外图像值都为0。②屏蔽作用，用掩模对图像上某些区域作屏蔽，使其不参加处理或不参加处理参数的计算，或仅对屏蔽区作处理或统计。③结构特征提取，用相似性变量或图像匹配方法检测和提取图像中与掩模相似的结构特征。④特殊形状图像的制作。

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蚀刻工艺通常称为版

刻蚀（Etch）是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且*的刻蚀解决方案。