氧化锌(ZnO)的带边发射在紫外区,非常适宜作为白光LED的激发光源材料,凸显了氧化锌(ZnO)在半导体照明工程中的重要地位,氧化锌ZnO晶体,并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比,ZnO晶体基片哪家好,氧化锌(ZnO)具有资源丰富、价格低廉、高的化学和热稳定性,更好的*辐照损伤能力,ZnO晶体基片价格,适合做长寿命器件等多方面的优势。此外,氧化锌(ZnO)与GaN的物理性能非常接近,其晶格失配度很小,乌鲁木齐ZnO晶体,是GaN晶体生长*理想的衬底材料。
目前,生长氧化锌(ZnO)单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的*有效的方法。氧化锌(ZnO)晶体具有四种晶体结构,闪锌矿结构(与金刚石类似,可看成氧原子FCC排列,4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列,锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构,氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。
氧化锌(ZnO)晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌(ZnO)晶体主要性能参数:晶体结构:六方;晶格常数:a=3.252A c=5.313 A;密度:5.7(g/cm3);硬度:4(mohs);熔点:1975℃;热膨胀系数:6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c;热 容:0.125 cal /g.m;热电常数:1200 mv/k @ 300 ℃;热 导:0.006 cal/cm/k。