光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约，而折射率的分布又与其介电常量（电容率）密切相关。晶体折射率可用施加电场E的幂级数表示，即或写成式中， γE 是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性电光效应或泡克耳斯(Pockels)效应；由二次项 bE2 引起的折射率变化，称为二次电光效应或克尔（Kerr ）效应。对于大多数电光晶体材料，一次效应要比二次效应显着，可略去二次项。

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电光调制器的原理

电光调制器的基础是电光效应。根据电光晶体的折射率变化量和外加电场强度的关系，电光效应可分为线性电光效应(泡克耳斯效应)和二次电光效应(克尔效应)。因为线性电光效应比二次电光效应的作用效果明显，因此实际中多用线性电光调制器对光波进行调制。线性电光调制器可分为纵向的和横向的。在纵向的调制器中，电场平行于光的传播方向，而横向调制器的电场则垂直于光传播的方向。

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电光调制器选择需要注意什么？

1、串联方式的选择对功率损耗量影响较大，通常采用n级晶体串联的方式来降低，此外，为了使n级晶体电光效应逐步提高，应将晶体的x轴与y轴方向旋转90°进行安置，同时，不应串联过多快晶体，避免电容过大。

2、电光调制器输出特性与外加电压的关系式非线性的，加入电光调制器工作于非线性部分，那么调制光将发生畸变，只有确保高次谐波幅值在允许范围内，电光调制器，才能避免畸变。实际设计中，秩序带入电光调制器半波电压以及调制率的范围，就可验证调制电压峰-峰值是否符合设计要求。

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