光电探测器

光电探测器是用来探测光的装置，大部分情况下是探测光功率。由于实际应用的要求变化多样，因此存在很多种适合不同用途的光电探测器： 光电二*管是具有p-n结或者p-i-n结构的半导体器件（i代表本征层）（参阅PIN型光电二*管），其中光在耗尽层被吸收产生光电流。这一装置尺寸非常小，采用合适的电子装置情况下，该器件具有响应快，响应高线性以及很高的*效率（即单个入射光子几乎可以产生一个电子），动态范围大的特点。其中非常灵敏的一类为雪崩光电二*管，有时甚至可以用于光子计数。 金属-半导体-金属光电探测器包含两个肖特基接触。它比光电二*管响应更快，超快ingaas pin光电探测器品牌，带宽为几百GHz。 光电晶体管与光电二*管类似，来使利用了光电流的内放大。它没有光电二*管常用。 光敏电阻器是利用了一些特定的半导体材料，例如，超快ingaas pin光电探测器哪家好，（CdS）。它的价格比光电二*管低，那时响应慢，并且不灵敏，具有强的非线性响应。 光电倍增管采用的是真空管。它同时具有很高的灵敏度（甚至可用于光子计数）和很高的响应速度。但是，它的价格很高，超快ingaas pin光电探测器多少钱，尺寸较大，并且需要很高的工作电压。 热释电探测器利用非线性晶体（例如，LiTaO3）在吸收涂层处吸收光脉冲受热后产生的热释电压脉冲。它们通常用于测量调Q激光器中产生的毫焦耳脉冲能量。 热学探测器（功率计）可以测量吸收光引起的温度升高。这种探测器非常坚固，可以测量非常高的激光功率，但是灵敏度较低，中等的线性响应，相对较小的动态范围。 目前关于碳纳米管和石墨烯的光电探测器还在研发阶段，它有潜力可以提供很大的波长范围和很快的响应速度。将这一器件集成到光电芯片上的方法也在研究当中。

如何选择一个合适的光电探测器

光电探测器总的选择匹配原则是：

①光电探测器和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配;

②光电探测器的光电转换特性和入射辐射能量相匹配;

③光电探测器和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配;

④光电探测器和输入电路的电气特性相匹配。

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光电探测器工作原理

光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或*移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eglt;hv，则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。

当光在半导体中传输时，超快ingaas pin光电探测器，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。