瑞泰威主营业务为:驱动IC、存储IC、触摸IC等电子元器件产品，产品型号齐全，能够满足您不同性能需求的电子元器件产品。生产之后，经过严密测试分析流程才出货，保持和提高产品可靠性，月出货量100万PCS。

近几年来MOSFET和IGBT在变频调速装置、开关电源、不间断电源等各种、低损耗和低噪音的场合得到了广泛的应用。这些功率器件的运行状态直接决定了设备的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。在设计MOSFET和IGBT的驱动电路时，应考虑一下几个因素：

（1）要有一定的驱动功率。也就是说，驱动电路能提供足够的电流，在所要求的开通时间和关断时间内对MOSFET和IGBT的输入电容Ciss充电和放电。输入电容Ciss包括栅——源之间的电容CGS和栅——漏之间的电容CGD。 MOSFET和 IGBT的开通和关断实质上是对其输入电容的充放电过程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，栅*电压VGS的上升时间tr和下降时间tf决定输入回路的时间常数，驱动ic芯片上市公司，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是输入回路电阻，其中包括驱动电源的内阻Ri。从上式中可以知道驱动电源的内阻越小，驱动速度越快。

（2）驱动电路延迟时间要小。开关频率越高，驱动ic芯片，延迟时间要越小。

（3）大功率IGBT在关断时，有时须加反向电压，以防止受到干扰时误开通。

（4）驱动信号有时要求电气隔离。

以PWM DC-DC全桥变换器为例，驱动ic芯片兼容屏幕，其同一桥臂的两只开关管的驱动信号S上和S下相差1800，是刚好相反的，即一只开关管开通，另一只开关管要关断，或者同时关断。其中，两只上臂的开关管之间和下臂的开关管必须隔离。对于中小功率的驱动电路，用脉冲变压器的方法实现隔离为简单，而在大功率的应用场合，则要使用集成驱动器驱动。

集成驱动 IC 在 15 mA 电流下的压降仅 105 mV，效能业界前头，为照明应用提供了更多的设计弹性。如此可提升整体效率，并提供所需的电压余度，继电器驱动ic芯片，补偿供应电压之中的 LED正向电压偏差及变动。BCR431U 能让照明设计增加更多 LED，例如用同一个 IC 驱动七个串联 LED，而不只是六个LED；或者，也能用来增加 LED 灯条设计的整体长度，例如从 5米增加到 7 米。整体而言，LED 灯条越长，代表接电点越少，以及更少的安装工作。

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