PCVD与传统CVD技术的区别

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PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，等离子化学气相沉积设备多少钱，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，NASA 开始尝试使用金属有机化合*学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，并获得了成功，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料，并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm，C15H21IrO6的制取效率达 70%以上。

物*相沉积和化学气相沉积的区别

化学气相沉积过程中有化学反应，等离子化学气相沉积设备，多种材料相互反应，生成新的的材料。

物*相沉积中没有化学反应，等离子化学气相沉积设备哪家好，材料只是形态有改变。

物*相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，*，耗材少，等离子化学气相沉积设备报价，成膜均匀致密，与基体的结合力强。

化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的绕射性好

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