化学气相沉积的原理

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化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：

（1）形成挥发性物质 ；

（2）把上述物质转移至沉积区域 ；

（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。

PCVD与传统CVD技术的区别

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PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

方箱PECVD简介

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，进口化学气相沉积设备，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。

设备概述：

1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；

2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；

3.*限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到

（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，进口化学气相沉积设备价格，采用日本进口控温表进行控温；

6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电*间距20-80mm连续可调；

7. 沉积工作真空：13-1300Pa；

8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，进口化学气相沉积设备哪家好，全自动匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。

11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。

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