光刻胶介绍

光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料，可以在光照后发生化学性质的改变，这是整个工艺的基础。

光刻胶有不同的类型，NR9 8000光刻胶多少钱，PMMA（PMGI）以及DNQ（酚醛树脂）等材料都可以做光刻胶。

目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等国家，包括 FUTURREX、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等，中国公司在光刻胶领域也缺少技术。

提供*化学技术的多样化解决方案

成立于1985年，总部设在美国新泽西州，富兰克林市，NR9 8000光刻胶，高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司

公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲

基于多样化的技术

应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷

解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程

客户：从*100强到以风险投资为背景的设备研发及制造公司

使命

目标

提供特殊*和全新工艺来增加客户的产能

策略

提供的产品来优化生产制程，以提高设备能效

领的技术提升生产过程中的整体

工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能

增加客户的产能和生产的效率

工艺减化

非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定

在生产过程中，不含*溶剂

支持所有客户的需要，NR9 8000光刻胶价格，与客户共创成功

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——*洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。