正负光刻胶

正负光刻胶

光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，进口光刻胶，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。

一般来说线宽的用正胶，线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以****负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响*。同种厚度的正负胶，进口光刻胶显影，在对于*湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。赛米莱德提供美国Futurre*刻胶的供应与技术参数。

9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG*。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenpla*a ashing，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O， 光刻检验

光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶良好的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其*干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，HMDS，光刻胶疏水，Sio2 空气中，Si-OH， 表面有，亲水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸 与 SI –OH结合形成Si-O-Si(CH2)2，与光刻胶相亲。

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