陶瓷电容器不仅可以耐高温、耐腐蚀，而且有较高的介电常数，这对当前集成电路对电容器小型化、高容量的要求是很适宜的，下面东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家讲述一下陶瓷电容器的介质损耗组成部分。

1、玻璃相中的电导损耗这部分损耗主要是由玻璃中的离子引起的电导损耗；

2、晶相中的损耗它主要是由于晶界附近的晶格容易产生畸变和晶格问题，定购片状陶瓷电容，因而产生弱联系离子造成松池损耗；

3、结构不均匀性导致的附加夹层损耗，要降低电容器的介质损耗，主要是减小弱联系离子和弱束缚电子。

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陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，成为电子设备中不可缺少的零部件，现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。

陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电****交相重叠，陶瓷材料有几个种类，片状陶瓷电容生产厂家，自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出陶瓷电容器领域，现在主要使用TiO2、BaTiO3，CaZrO3等，和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。

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安规陶瓷电容具有*直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视的接收机和扫描等电路中使用，安规陶瓷电容的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点，近年来随着材料、电****和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用，高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。

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