真空蒸发的物理过程

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

电子束镀膜仪

真空蒸发的物理过程

1.采用各种形式的热能转换方式 采用各种形式的热能转换方式， 1.采用各种形式的热能转换方式，使镀膜材料粒子蒸 发或升华，成为具有一定能量的气态粒子(原子， 发或升华，成为具有一定能量的气态粒子(原子， 分子，原子团， eV)； 分子，原子团，0 .1 ～ 0.3 eV)； 气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式传输到 2.气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式传输到 气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式 基体； 基体； 3.粒子淀积在基体表面上并凝聚成薄膜； 3.粒子淀积在基体表面上并凝聚成薄膜； 粒子淀积在基体表面上并凝聚成薄膜 4.组成薄膜的原子重新排列或化学键合发生变化 组成薄膜的原子重新排列或化学键合发生变化。 4.组成薄膜的原子重新排列或化学键合发生变化。 影响真空镀膜质量和厚度的因素主要有蒸发源的温 度、蒸发源的形状、基片的位置、真空度等。 蒸发源的形状、基片的位置、真空度等。

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电阻蒸发镀膜机镀膜出现炸丝和黑点是怎么回事？

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电阻蒸发镀膜机的镀膜过程三部分:预热—预熔—镀膜;时间要把握好，蒸发时间应该5秒钟搞定。预热7S(时间短，电流小)，预熔8S(电流稍大点，时间长，镀膜5S(时间短)总时间不能超过20S。产生上述情况的原因主要是因为镀膜材料熔太高，蒸发源设置的时间过短。具体的解决措施就要加大预熔电流，时间稍微长一点，如果镀制发黄稍微减少蒸发时间，建议*清洁镀制工件，缩短暴露在空气中的时间，调整蒸发速度。

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电子束蒸发与磁控溅射镀膜区别

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致密性

考虑Al膜的致密性就相当于考虑Al膜的晶粒的大小，密度以及能达到均匀化的程度，因为它也直接影响Al膜的其它性能，进而影响半导体哗啦的性能。

气相沉积的多晶Al膜的晶粒尺寸随着沉积过程中吸附原子或原子团在基片表面迁移率的增加而增加。

由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小将取决环于基片温度、沉积速度、气相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光洁度和化学活性等因素。

由于电子束蒸发的基片温度Ts=120°C，电子束镀膜仪厂家*，蒸发速率20—25A/s，蒸汽Al原子的能量为0.1—0.3eV，而溅射的基片温度Ts=120°C，电子束镀膜仪，溅射速率8000A/min(133.3A/s)或10000A/min(166.7A/s)，溅射阈为13eV，溅射Al原子的能量比电子束蒸发的Al原了能量高1—2个数量级，所以电子束蒸发的Al原子碰到基片，很快失去能量，且迁移率很小，故原子在表面上重新排列较困难，即沉积的地方就是*的地方成原子之间的空隙较大，有面粗糙度很大;溅射的基片温度较高，Al原子能量也较高，在而基片表面的原子迁移率*，使得薄膜表面横向动能较大，电子束镀膜仪出售，易于连结殂成光滑的表面，稳定性较高，晶粒较大，原子间距较小，因而形成的薄膜表面粗糙芳减小。

通过环境扫描电子显微镜philipsXL30-ESEM观测，并分析两种Al膜的晶粒大小及表面形貌的SEM照片也能验证这一结论，电子束蒸发的平均粒径为266.8nm，溅射的平均粒径为1.528μm，虽然电子束蒸发Al膜的粒径明显小于溅射的Al薄膜，但是电子束蒸发的Al原子较终不得靠得很近，当中存在很多间隙，而且溅射的Al原子相互靠得很紧，从侧面观测，溅射的Al膜平滑而且色泽光亮，说明溅射Al膜的致密较好。

溅射的晶粒较大还有一个好处，减小了晶界面积，从而减少电迁移短路通道的数目，有利于增强Al膜的*电迁移能力，延长Al膜的平均寿命。但晶粒尺寸不可太大，否则影响Al膜细线条图形的光刻质量。同时，溅射的Al膜晶粒虽大，但可以通过的后面的热处理使之细化并使性能更加优越。

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