磁控溅射中靶*是怎么回事，一般的影响因素是什么？

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来，磁控溅射卷绕镀膜机，一直专注于真空设备的研发、制造，集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机，磁控溅射镀膜机，电子束蒸发镀膜机，多弧离子溅射镀膜机，热丝CVD设备，装饰镀膜机，硬质涂层设备等。

磁控溅射卷绕镀膜机

一：靶面金属化合物的形成。

由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。

二：靶*的影响因素

影响靶*的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶*。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到*，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全*。

三：靶*现象

(1)正离子堆积：靶*时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴****靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴****靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，磁控溅射卷绕镀膜机多少钱一台，使阴****溅射无法进行下去。（2）阳****消失：靶*时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳****的电子无法进入阳****，形成阳****消失现象。

四：靶*的物理解释

（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶*后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，****了空间的导通能力，降低了等离子体阻*，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶*时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶*后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。

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磁控溅射镀膜机的工作原理

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控溅射原理电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，电离出大量的离子和电子，电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，****终沉积在基片上。 磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，****工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳****也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳****在同一电势。磁场与电场的交互作用使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 在机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在此原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。

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铟锡氧化物( Indium Tin Oxide ，简称ITO) 薄膜是一种用途广泛的透明导电材料，磁控溅射卷绕镀膜机批发，已成熟的应用于电机车挡风玻璃、液晶显示器件、太阳能电池、全息照相和液晶彩色电视等，蓄势待发的应用领域为有机发光二****管显示器(Organic Light-Emitting Diode ，简称OLED) 。从应用角度出发，通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ，薄膜中铟锡低价化合物愈少愈好。ITO 薄膜的制备方法很多，如喷涂、蒸发、射频溅射和磁控溅射等。随着液晶显示器技术向高精细化和大型化发展，磁控溅射法备受欢迎。

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