北京泰科诺科技有限公司

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磁控溅射镀膜设备

北京泰科诺科技有限公司自2003年成立以来,一直专注于真空设备的研发、制造,集真空镀膜设备、真空应用设备等相关设备及工艺的研发、制造、销售、服务于一体的高新技术企业。主营产品蒸发镀膜机,磁控溅射镀膜机,磁控溅射系统,电子束蒸发镀膜机,多弧离子溅射镀膜机,热丝CVD设备,装饰镀膜机,硬质涂层设备等。

磁控溅射系统

溅射镀膜技术

溅射镀膜溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常,利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴****靶由镀膜材料制成,基片作为阳****,真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性气体,磁控溅射系统生产商,在阴****(靶)1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。

由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的,因而溅射出来的原子能量高,有利于****沉积时原子的扩散能力,****沉积*的致密程度,使制出的薄膜与基片具有强的附着力。溅射时,气体被电离之后,气体离子在电场作用下飞向接阴****的靶材,电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下,产生的离子数目少,靶材溅射效率低;而在高电压和高气压下,尽管可以产生较多的离子,但飞向基片的电子携带的能量高,容易使基片发热甚至发生二次溅射,影响制膜质量。另外,靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加,磁控溅射系统哪家好,因而被散射到整个腔体,既会造成靶材浪费,又会在制备多层膜时造成各层的污染。

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磁控溅射镀膜机的工作原理

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磁控溅射镀膜机的工作原理

控溅射原理电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞,电离出大量的离子和电子,电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体区域内,该区域内等离子体密度很高,二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长,磁控溅射系统厂家,在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,****终沉积在基片上。 磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,****工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳****也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳****在同一电势。磁场与电场的交互作用使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓,那是靶源磁场磁力线呈圆周形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 在机理下工作的不光磁控溅射,多弧镀靶源,离子源,等离子源等都在此原理下工作。所不同的是电场方向,电压电流大小而已。

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磁控溅射镀膜机

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磁控溅射系统

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由于ITO 薄膜的导电属于n 型半导体性质,即其导电机制为还原态In2O3 放出两个电子,成为氧空穴载流子和In3 ,被固溶的四价掺锡置换后放出一个电子成为电子载流子。显然,不论哪一种导电机制,载流子密度均与溅射成膜时的氧含量有很大关系。随着氧含量的增加,当膜的组分接近化学配比时,迁移率有所增加,但却使载流子密度有所减少。这两种效应的综合结果是膜的光电性能随氧含量的变化呈****值现象。对应****值的氧含量直接决定着“工艺窗口”的宽窄,它与成膜时的基底温度、气流量及膜的沉积速率等参数有关。为便于控制氧含量,我们采用混合比为85∶15 的氧混合气代替纯氧,气体喷孔的设计保证了基底各处氧分子流场的均匀性。

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