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耗散功率
耗散功率也称集电********z大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的****z大集电****耗散功率。耗散功率与晶体管的****z高允许结温和集电********z大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
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同电子管相比,晶体管具有诸多优越性:
结实可靠
比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的。另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于****元器件的安装密度。
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晶体管有三个****;双****性晶体管的三个****,分别由N型跟P型组成发射****(Emitter)、基****(Base) 和集电****(Collector);场效应晶体管的三个****,分别是源****(Source)、栅****(Gate)和漏****(Drain)。