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同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：

构件没有消耗无论多么优良的电子管，都将因阴****原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的****，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永y久性器件的美名。

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光晶体管（phototransistor）由双****型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是GaAs，主要分为双****型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双****型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，回收芯片，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快（约为50皮秒），但缺点是光敏面积小，增益小（放大系数可大于10），常用作****高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。

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三****管的导通 三****管处于放大状态还是开关状态要看给三****管基****加的直流偏 置，随这个电流变化，三****管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变， 如果三****管Ib（直流偏置点）一定时，三****管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三****管进入饱和状态，此时三****管的Ic不再变化，三****管将工作在开关状态。