超薄铜箔

超薄铜箔以移动电话、笔记本电脑为代表的携带型电子产品用含微细埋、盲通孑L的多层板以及BGA、CSP等有机树脂封装基板所用的铜箔向薄箔型、超薄箔型推进。同时COz激光蚀孔加工，也需要基板采用****薄铜箔，以便可以对铜箔层直接微线孔加工。在日本、美国等国对9弘m、5pm、3／-tm的电解铜箔已可以工业化生产。目前，超薄铜箔的生产技术的难点或关键点在于能否脱离载体而直接生产且产品合格率较高及开发新型载体。

黄铜棒制造的原则

（1）所有元素都无一例外地降低铜棒的电导率和热导率，凡元素固溶于铜棒中，造成铜棒的晶格畸变，使自由电子定向流动时产生波散射，使电阻率增加，单导铜箔，相反在铜棒中没有固溶度或很少固溶的元素，对铜棒的导电和导热影响很少，特别应注意的是有些元素在铜棒中固溶度随着温度降低而激烈地降低，以单质和金属化合物析出，既可固溶和弥散强化铜棒合金，又对电导率降低不多，这对研究高强高导合金来说，是重要的合金化原则，这里应特别指出的是铁、硅、错、铬四元素与铜棒组成的合金是****为重要的高强高导合金；由于合金元素对铜棒性能影响是叠加的，其中CoCr —Zr 系合金是高强高导合金；

（2）铜基耐蚀合金的*都应该是单相，避免在合金中出现第二相引起电化学腐蚀。为此加人的合金元素在铜棒中都应该有很大的固溶度，铜箔，甚至是无限互溶的元素，在工程应用的单相黄铜棒、青铜棒、白铜棒都具有优良的耐蚀性能，是重要的热交换材料。

高温高延伸性铜箔（简称为HTE铜箔）

在高温（180℃）时保持有优异延伸率的铜箔。其中，35μm 和70μm厚度的铜箔高温（180℃）下的延伸率应保持室温时的延伸率的30% 以上。又称为HD铜箔（high ductility copper foil）。

低轮廓铜箔（简称LP）

一般铜箔的原箔的微结晶非常粗糙，呈粗大的柱状结晶。其切片横断层的棱线，起伏较大。而低轮廓铜箔的结晶很细腻（在2 μm以下），模切胶带，为等轴晶粒，双导铜箔，不含柱状的晶体，呈成片层状结晶，且棱线平坦。表面的粗化度低。超低轮廓电解铜箔经实际测定，平均粗化度（Ra）为0.55μm（一般铜箔为1.40μm）。粗化度为5.04μm（一般铜箔为12.50μm）。