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MOS管这个器件有两个电*，分别是漏*D和源*S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，_mos管，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N /P 区，并用金属铝引出漏*D和源*S。然后在漏*和源*之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电*，作为栅*G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。

The UTC 8N80 is an N-channel mode Power FET，100N10_mos管， it uses UTC’sadvanced technology to provide costumers planar stripe and DMOS

technology.

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MOS管一bai般又叫场效应管，与二*管du和三*管不同，二*管只能通过正zhi向电流，反向截止，不能控dao制，三*管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

ASEMI-7N65_mos管

产品：7N65

品牌：ASEMI

电流：7A

电压：650V

产品描述：MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

7A，650V，R DS(ON) =1.4Ω@V GS =10V/3.5A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

*alanche tested

Improved dv/dt capability

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20N10-ASEMI品质MOS管

型号：20N10

品牌：ASEMI

封装：TO-220

电性参数：20A 100V

正向电流：20A

反向耐压：100V

工作温度：-55~150°C

特性：MOS管

MOSFET做开关管的知识

一般来讲，三*管是电流驱动的，MOSFET是电压驱动的，因为是用CPLD来驱动这个开关，10N60_mos管，所以选择了用MOSFET做，这样也可以节省系统功耗吧，在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题，比如一个5V的电源，经过管子后可能变为了4.5V，这时候要考虑负载能不能接受了，曾经遇到过这样的问题就是负载的工作电压就是5V了，经过管子后发现系统工作不起来，后来才想起来管子上占了一部分压降了，类似的问题还有在使用二*管的时候(尤其是做电压反接保护时)也要注意管子的压降问题

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