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同步整流管和整流二*管

同步整流管SR及整流二*管构成的半波整流电路如图1（b）所示。当SR的门*驱动电压ug，与正弦波电源电压仍同步变化时，则负载R上得到的是与二*管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。

同步整流管的源一漏*之间有寄生的体二*管，还有输出结电容（未画出），驱动信号加在门*和源*（G-S）之间，是一种可控的开关器件。皿关断时，电流仍然可以由体二*管流通。不过m体二*管的正向导通压降和反向恢复时间都比SBD大得多，因此，品质mos管，一旦电流流过SR的体二*管，则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的，因此必须要有符合一定时序关系的门*驱动信号去控制它，使其像一个二*管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大，10N60品质mos管，因此，门*驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如，SR开通过早或关断过晚，都可能造成短路，而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二*管导通，使整流损耗和器件应力*。

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产品名称：6N65

品牌：ASEMI

电流：6A

电压：650V

封装：TO-220

产品描述：6N65场效应管也称mos管

R DS(ON) lt;1.7? @ V GS =10V

Fast switching capability

Lead free in compliance with EU RoHS directive.

Green molding compound

Case: TO-220，ITO-220，TO-262，TO-263 Package

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4N65_场效应管ASEMI品质MOS管

4A，100N10品质mos管，650V，R DS(ON) =2.2Ω@V GS =10V/2A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

100% *alanche tested

Improved dv/dt capability

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，24N50品质mos管，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

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