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MOS管一般又叫场效应bai管，与二*管和三du*管不同，二*zhi管只能通过正向电流，反向截止，不dao能控制，三*管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻*大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三*管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

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25N120-ASEMI*mos管

型号：25N120

品牌：ASEMI

封装：TO-247/3P

电性参数：25A 1200V

正向电流：25A

反向耐压：1200V

工作温度：-55~150°C

特性：mos管

场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，SYM601场效应管，普通的晶体三*管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅*电压改变一伏时能引起漏*电流变化多少安培。晶体三*管是电流放大系数（贝塔β）当基*电流改变一毫安时能引起集电*电流变化多少。

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90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

MOS管驱动

跟双*性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，9N90场效应管，但是，场效应管，我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需求是栅*电压大于源*电压。而驱动的MOS管导通时源*电压与漏*电压（VCC）相同，20N10场效应管，所以这时栅*电压要比VCC大4V或10V。假设在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适合的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，但在12V汽车电子系统里，普通4V导通就够用了。