ASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数

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ASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数

MOS管主要参数如下：

1. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅*电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

2.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源*S和漏*D之间开端构成导电沟道所需的栅*电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

3. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：

（1）漏*左近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源*间的穿通击穿-有些MOS管中，_mos管，其沟道长度较短，不时增加VDS会使漏区的耗尽层不时扩展到源区，100N10_mos管，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，10N60_mos管，抵达漏区，产生大的ID。

4. 直流输入电阻RGS-即在栅源*之间加的电压与栅*电流之比-这一特性有时以流过栅*的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。

5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏*电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏*电流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内。

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4N65_场效应管ASEMI品质MOS管

4A，650V，R DS(ON) =2.2Ω@V GS =10V/2A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

100% *alanche tested

Improved dv/dt capability

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

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SSR1013L，ASEMI同步整流器SSR1013L

电性参数：50A ， 110V

镭射激光打标，*，黑胶材质：环氧塑脂材料 包封稳定性好

引脚为无氧铜、*弯曲、导电性好

SSR1013L：5K/箱 箱体材质：牛皮纸 耐压**冲击

1K/盒，50pcs/管，9N90_mos管，防静电 牛皮纸盒 防静电、易保存，可回收利用

SSR1013L参数规格为： 电流:50A 电压：110V；盒装：1000Pcs/盒

型号：SSR1013L

品牌：ASEMI

封装：220AB

特性：整流

电性参数：50A 110V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：50A

芯片个数：

正向电压(VF)：

芯片尺寸：

浪涌电流If*：

漏电流(Ir)：

工作温度：-40~ 150

恢复时间(Trr)：10ns

引线数量：3

SSR1013L是一款开关电源次级侧同步整流器件，集成了控制芯片、储能电容和低RDSON的功率MOSFET。采用自供电技术，通过电流检测自动开/关MOSFET。在开关电源系统中可直接替换肖特基二*管使用，是一种应用简单且性能优异的次级整流器的解决方案

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