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8、输入阻*高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻*基本上就是输入电容的容*。由于输入阻*高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率（灵敏度高）。一般的晶体三*管必需有基*电压Vb，再产生基*电流Ib，才能驱动集电*电流的产生。晶体三*管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。

9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，8N80放大电路mos管，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三*管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S，这对于普通的大功率晶体三*管来说是难以想象的）。

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MOS管一bai般又叫场效应管，与二*管du和三*管不同，二*管只能通过正zhi向电流，反向截止，不能控dao制，三*管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

ASEMI-7N65_mos管

产品：7N65

品牌：ASEMI

电流：7A

电压：650V

产品描述：MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

7A，放大电路mos管，650V*ON) =1.4Ω@V GS =10V/3.5A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

*alanche tested

Improved dv/dt capability

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1、场效应管的源*S、栅*G、漏*D分别对应于三*管的发射*e、基*b、集电*c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三*管引脚，8N65放大电路mos管，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三*管引脚对应图。

2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三*管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅*电压改变一伏时能引起漏*电流变化多少安培。晶体三*管是电流放大系数（贝塔β）当基*电流改变一毫安时能引起集电*电流变化多少。

3、场效应管栅*和其它电*是绝缘的，不产生电流；而三*管工作时基*电流IB决定集电*电流IC。因此场效应管的输入电阻比三*管的输入电阻高的多。

4、场效应管只有多数载流子参与导电；三*管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三*管的温度稳定性好。

放大电路mos管-ASEMI-6N65放大电路mos管由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（www.asemi360*）是从事“电源IC,整流桥,肖特基,快恢复全系列”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供高质量的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：李强。同时本公司（www.asemi88.cn）还是从事单相整流方桥，单相整流桥定制，单相整流桥价格的厂家，欢迎来电咨询。