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SSR1013L-ASEMI场效应管

同步整流是采用通态电阻*低的*功率MOSFET，来取代整流二*管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅*电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 同步整流管导通时的的管压降至少要比二*管的压降低，这样才能体现同步整流的优势，I同步整流一般用在低压大电流的情况下。比如输出电压只有3V，这时即使用肖特基只有0.3V的管压降那整流效率也只有90％。而MOS管导通时呈电阻态，管压降可以很低达到几十毫伏甚至几毫伏，这时的整流效率就很高了。常见的小功率MOS同步整流管。

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同步整流管和整流二*管

同步整流管SR及整流二*管构成的半波整流电路如图1（b）所示。当SR的门*驱动电压ug，6N65_mos管，与正弦波电源电压仍同步变化时，则负载R上得到的是与二*管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。

同步整流管的源一漏*之间有寄生的体二*管，还有输出结电容（未画出），驱动信号加在门*和源*（G-S）之间，是一种可控的开关器件。皿关断时，电流仍然可以由体二*管流通。不过m体二*管的正向导通压降和反向恢复时间都比SBD大得多，因此，一旦电流流过SR的体二*管，则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的，因此必须要有符合一定时序关系的门*驱动信号去控制它，使其像一个二*管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大，因此，门*驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如，SR开通过早或关断过晚，_mos管，都可能造成短路，而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二*管导通，使整流损耗和器件应力*。

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MOS管一bai般又叫场效应管，与二*管du和三*管不同，二*管只能通过正zhi向电流，10N60_mos管，反向截止，不能控dao制，三*管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

ASEMI-7N65_mos管

产品：7N65

品牌：ASEMI

电流：7A

电压：650V

产品描述：MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

7A，650V*ON) =1.4Ω@V GS =10V/3.5A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

*alanche tested

Improved dv/dt capability

ASEMI(图)-10N60mos管-_mos管由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（www.asemi360*）是一家从事“电源IC,整流桥,肖特基,快恢复全系列”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“强元芯”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务为先，用户至上”的原则，使鼎芯实业在二*管中赢得了众的客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！同时本公司（www.asemi88.cn）还是从事单相整流方桥，单相整流桥定制，单相整流桥价格的厂家，欢迎来电咨询。