薄膜电容未来发展趋势分析

薄膜电容在技术上逐渐取代铝电解电容，更有利于我国工业发展。然而影响薄膜电容取代铝电解电容的阻碍就是价格，薄膜电容相对于传统的铝电解电容来说，CBB电容，价格较高，这跟薄膜电容的生产成品有关。因此，在国内的薄膜电容制造企业中，采取了大比率替换的DC-Link聚薄膜电容器替换铝电解电容器在性能上可以满足变频器“滤波”电容器的要求。如果这时的聚薄膜电容器的价格不高于铝电解电容器组，则这种替代方案在经济效益相同的条件下，性能上完成可以满足要求。采用聚薄膜电容器替代铝电解电容器后，贵州电容，由于聚薄膜电容器基本上不存在寿命限制问题，也就避免了搞可靠应用时变频器定期替换铝电解电容器的麻烦和成本的提高。

c*电容器

c*电容器是以金属箔作为电*，将其和聚薄膜从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造的电容器。

c*电容器的特点

1、无*性，绝缘阻*很高，频率特性优异，而且介质损失很小。 　

2、介电常数较高，体积小，容量大，稳定性比较好。 　

3、介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大。

c*电容器的应用

c*电容器广泛应用于各种电子精密仪器、各种小型电子设备中作为CBB电容器。

CBB电容 的用途和原理特点

基于以上的优点，所以CBB电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份，必须使用频率特性良好，介质损失*低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。介电常数较高，体积小，容量大，HTCC，稳定性比较好，适宜做旁路电容。聚薄膜电容介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大可用于高频电路。

CBB电容的特点：

1.无*性，绝缘阻*很高，频率特性优异，而且介质损失很小。

2.介电常数较高，体积小，容量大，稳定性比较好。

1) 以特殊制作工艺和材料，而制作的超小型产品(2) 自复能力为传统电容3倍以上，FILM电容，在安全性上有优异的表现(3) 本产品经特殊制作处理方式，可更有效的*因交流电流而使薄膜产生的机械式振动声(俗称的电容异音)(4) 使用上限温度可达105℃，可于较高温度环境下使用(5) 以符合UL94V-0-0 等级环氧粉末封装，阻燃性佳(6) 电容量和耗损因素与温度和频率对比的稳定性高可使用于温度和频率变化较大的环境下(7) 耗损因素(DF)低，绝缘电阻(IR)高