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尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，单晶边皮料，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期

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单晶硅制备与仿1真主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；

直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，单晶边皮料回收，同时又能****器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点****高的材料，单晶边皮料回收报价，由于没有合适的坩埚，而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其他方法。