肖特基二****管

由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，菏泽肖特基二****管，而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势肖特基二****管垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。

肖特基二****管特点

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二****管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二****管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，常用肖特基二****管，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

二****管的作用与识别方法

1、作用

二****管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻****大或无穷大。

二****管按用途分为：晶体二****管、双向触发二****管、高频变阻二****管、变容二****管、发二****管、肖特基二****管。

2、识别方法

二****管的识别很简单，小功率二****管的N****(负****)，肖特基二****管选型，在二****管表大多采用一种色圈标出来，太阳能肖特基二****管，有些二****管也用二****管*符号标志为“P”“N”来确定二****管****性的，发光二****管的正负****可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。