mos管

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电****，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），浙江新洁能MOS管，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属****就是GATE，新洁能MOS管，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。

Super Trench MOSFET:

Super Trench MOSFET系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Shield Gate Deep Trench）技术，提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅****电荷（Qg）。通过采用这一****技术，新的75V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数比上一代产品降低了45%。新款Super Trench MOSFET的软体二****管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰，实现在AC/DC电源的同步整流中快速开关。