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MOS管理论图与实物有什么区别？

MOS管结构示意图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二*管，从而区分了源*和漏*。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅*预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅*不用加负电压了，接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，25N120MOS管工作原理，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。

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什么是增强型MOS管？

增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅*电压越低，则p型源、漏*的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅*，栅*电压达到一个值，SYM601MOS管工作原理，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，MOS管工作原理，就是图示效果。因此，容易理解，栅*电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅*来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。

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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET

型号：24N50

封装：TO-247/3P

漏*电流（VDS）：24A

漏源电压（ID）：500V

工作温度：-55℃~150℃

种类：场效应晶体管

品牌：ASEMI

场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

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