提高大型设备整体*恶劣环境和工作条件的能力

　如烯烃厂的EA-123换热器(面积达3000m2)，因恶劣环境和工作条件，成为*腐蚀能力差的老大难问题。经整体一次性化学镀镍(表面均匀无ban点、裂纹、结瘤，无边解效应，结合力强等)，运行二年后，清除表面油污后仍可见明显的镀层光泽，镀层保持完好。这在国内尚属首例。又如炼油厂的冷换设备化学镀镍取代了有机涂料的防腐，使用寿命显著提高，确保了系统的长期安稳运行。尤其在低碳钢的管束上化学镀镍后，在H2S、HCl-H2S-H2O、常顶油气、硫磺尾气等介质中*腐蚀性能优良，还能延缓冷却水的结垢速度。

　　大型设备化学镀镍工艺流程：喷砂除锈→冷水冲洗→酸洗活化→冷水冲洗→化学镀镍(作防腐层厚度25-50μm)→冷水冲洗→钝化→冷水冲洗。

置换镀

置换镀（离子交换或电荷交换沉积）： ；一种金属浸在第二种金属的金属盐溶液中，第yi种金属的表面上发生局部溶解，同时在其表面自发沉积上第二种金属。在离子交换情况下，基底金属本身就是还原剂。 ；使用*广泛的基底金属（Me1）是铜、铁和镍，而用得*多的镀层金属（Me2）则是金和铜。如将一只铁钉浸在*铜溶液中，铁钉上就镀上薄薄一层铜。但它的实际应用是有限的，因为基底金属的表面一旦被溶液中的金属（Me2）覆盖，过程马上停止。所以其*大厚度是很小的，而且结合力没有*的化学镀那么好。由于镀层质量差，厚度有限，所以应用非常有限。

直接化学镀镍工艺方法对镍层表面形态的影响

近年来，随着半导体输入端子数量的增加，基板向侧面端子的多腿化及信号线间距微细化的发展。多腿化的趋势使QFP(Quad Flat Package)构造盘间的节距狭小化制造的难度增加，特别是面阵列端子（面端子）化的需要，BGA(Ball Grid Array)构造的超小型化封装的开发。超小型化封装端子的表面处理的外部引出线需要增加适合的化学镀金/化学镀镍。化学镀金或电镀金的工艺方法比较而言，对于*的电路图形上表面处理是适用的，镀层的厚度可以根据需要增加，这一点是非常有利的。

通常铜导体图形是采用以次***盐作还原剂化学镀镍，而铜与次***氧化反应是没有催化活化行为的，这就需要采用钯作为催化剂。该工艺方法就是将基板浸入稀的钯溶液，当铜导体图形上浸有催化剂钯后，就可以实施化学镀镍的工艺程序。但是，对于超高密度配线的基板该工艺方法是否适用，还要看对钯催化剂的选择，因为当基板浸入催化溶液时，化学镀镍大板可镀3米*2.5米价格，导体图形间的树脂上也会同时吸附，化学镀镍过程中会沉积在图形间的树脂上面，这样一来就会产生质量问题。

这就需要解决选择性析出的技术问题，铜导体经过催化活化，采用还原剂为DMAB(***化硼)和稀的化学镀镍溶液，确认其选择性沉积是有效的。 另外，经过化学镀镍＋金的电镀处理的基板，与电镀法镀出的镀层相比，其焊接强度就比较低。其主要原因是由镍粒子粒界被腐蚀*，镍层中的富磷层形成以及锡-镍-磷合金层的形成。现在的问题是对镍层中含磷量的含有率控制，使过程中不会产生局部腐蚀，具有适用性的工艺对策是有效的。