在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。

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简单说明了旁路和退耦之后，我们来看看芯片工作时是怎样在电源线上产生干扰的。我们建立一个简单的IO Buffer模型，输出采用图腾柱IO驱动电路，由两个互补MOS管组成的输出级驱动一个带有串联源端匹配电阻的传输线（传输线阻*为Z0）。

假设初始时 刻传输在线各点的电压和电流均为零，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。

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大小和方向随时间作周期性变化的电动势、电压和电流统称为交流电。交流电分为正弦交流电和非正弦交流电两大类。正弦交流电（或称正弦量）是指按正弦规律变化的交流电，其它不按正弦规律变化的交流电统称为非正弦交流电。图 2.1.1 给出了几种直流电和交流电的波形图。其中图 2.1.1(a) 为恒定直流电，图 2.1.1(b) 为脉动直流电。图 2.1.1(c) 为正弦交流电。图 2.1.1(d) 为非正弦交流电。这里只讨论正弦交流电。

交流电的特征表现在其变化的快慢、大小、及初始值三个方面，而它们分别由频率（或周期、角频率）、幅值（或有效值）和初相来确定，所以频率、幅值和初相称为交流电的三要素。