为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，****数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅****以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。

      晶圆清洗是半导体制造典型工序中****常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是****为成熟的****个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和有机污染物。

氨水加氧化剂清洗液：

      在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象,造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害,造成产品质量下降,因此应控制合适的温度和清洗时间,并及时用水*洗干净。