RCA清洗附加兆声能量后，可减少*及DI 水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。

氨水加氧化剂清洗液：

      在表面污物被氧化和刻蚀的同时也会发生MCP表面粗糙现象,造成MCP表面“发毛”和划道或路子等伤害,造成产品质量下降,因此应控制合适的温度和清洗时间,并及时用水*洗干净。

     就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代****晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与****初RCA的配方相差不大，但整体工艺****明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。