半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。

酸加氧化剂清洗:

　　酸加氧化剂清洗液配方为:HCI∶H2O2∶H2O=1∶5∶5~1∶10∶10,可溶解碱金属离子,并生成碳酸盐和铝、铁及镁之氢氧化物,另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物,也可去除金属污染物。*一方面可以去除有机物污染,另外配合搅拌和超声过程中形成的大量气泡对表面大颗粒污染物产生较大冲击力,使污染物脱离表面。

(1)药品使用完后，必须把瓶盖拧紧并放到安全处；  

(2)工作台前的外窗门，在使用时和使用后，均应拉下封闭，*****污染晶片和超净间，危害员工健康；

(3)废液回收时一定要两人同时在场。