硅材料表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅材料加工和半导体工艺研究的一大热点。

超声清洗：

     对不同材料及孔径的MCP应采用频率、声强可调的超声波进行实验,以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmMCP的清洗,当媒液为水和乙醇时,可采用空化阈约1/3W/cm2,声强10~20 W/cm2,频率20~120 kHz的超声波进行清洗。

清洗常用的化学*

　　*（ACE）：【用途】除去有机残余物，有机颗粒；除去光刻胶。 ****（IPA）：【用途】溶解*，将有机残余物溶解。 DI水：【用途】溶解****，带走残余物。 ? SPM:  (H2SO4 : H2O2 : H2O）。