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酸加氧化剂清洗:

　　酸加氧化剂清洗液配方为:HCI∶H2O2∶H2O=1∶5∶5~1∶10∶10,可溶解碱金属离子,并生成碳酸盐和铝、铁及镁之氢氧化物,另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物,也可去除金属污染物。*一方面可以去除有机物污染,另外配合搅拌和超声过程中形成的大量气泡对表面大颗粒污染物产生较大冲击力,使污染物脱离表面。

     在半导体湿式清洗制程中，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。